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Grupo cria transistor mais rápido do mundo

Quarta-feira, 13 de dezembro de 2006 - 15h06

SÃO PAULO - Cientistas da Universidade Illinois, nos Estados Unidos, 
anunciaram o desenvolvimento de um transistor que atinge uma freqüência 
de 845 Gigahertz.

O componente foi apresentado para cientistas americanos esta semana, 
durante a International Electronics Device, que acontece em São Francisco.

De acordo com seus criadores, o transistor é 50% mais veloz que outros 
experimentos existentes no mundo e aproxima a comunidade científica da 
meta de criar o primeiro transistor com velocidade de um terahertz

Transistores mais rápidos permitem projetar computadores mais velozes e 
desenvolver redes sem fio mais seguras, além de abrir muitas 
possibilidades para a indústria criar eletrônicos mais eficazes que os 
atualmente conhecidos, afirmou o grupo responsável pela pesquisa.

O transistor de 845 Gigahertz é feito de uma composição metálica mais 
refinada, à base de fosfito de índio e de arseneto de gálio. 
Transistores convencionais são fabricados a partir de misturas de 
silício e germânio.

O transistor usa ainda componentes de dimensões mais reduzias. A base do 
transistor tem apenas 12,5 nanômetros de espessura, diz a Universidade 
Illinois.

Felipe Zmoginski, do Plantão INFO


Retirado de
http://info.abril.com.br/aberto/infonews/122006/13122006-11.shl

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